عنوان الإطروحه |
Electronic and Structural Properties Modulation of Boron Nitride Monolayer through Silicon/Carbon Doping : A DFT Study
|
تاريخ مناقشة الاطروحه |
2025-12-24 |
اسم الطالب |
ايه خالد زهير ابو رشيده
|
المشرف |
خالد عبده بديوي الخزاعله |
|
المشرف المشارك |
جمال علي ابراهيم طلاع
|
اعضاء لجنة المناقشة |
| محمد احمد ابراهيم سالم |
| فداء يوسف الزعبي |
|
الكلية |
كلية العلوم |
القسم |
الفيزياء |
الملخص بالعربية |
تُعدّ طبقة نيتريد البورون الأحادية مادة ثنائية الأبعاد تتميز بفجوة طاقة واسعة واستقرار حراري وكيميائي عالٍ، مما يجعلها مرشحًا واعدًا للتطبيقات الإلكترونية والبصرية. تهدف هذه الدراسة إلى استكشاف تأثير تشويب طبقة نيتريد البورون الأحادية بذرات السيليكون والكربون على خصائصها الإلكترونية والهيكلية .
اعتمدت هذه الدراسة على حسابات المبادئ الأولى المستندة إلى نظرية دالة الكثافة تم التشويب بصورة منهجية على البنية الحزمية، وكثافة الحالات الإلكترونية، وتوزيع الشحنة.
تُظهر النتائج أن تشويب السيليكون والكربون يؤدي إلى تغييرات ملحوظة في السلوك الإلكتروني للطبقة الأحادية. إذ يُدخل السيليكون حالات موضعية قريبة من حزمة التوصيل، في حين يمكن للكربون أن يُولّد حالات مانحة أو مستقبِلة اعتمادًا على موقع الاستبدال في الشبكة البلورية. كما تُبيّن الدراسة إمكانية التحكم الفعّال في فجوة الطاقة، مما يسمح بتكييف الخصائص الإلكترونية لطبقة نيتريد البورون الأحادية لتناسب مختلف التطبيقات في الأجهزة النانوية.
توفر هذه الدراسة فهمًا أعمق لتأثير الشوائب على الخصائص الإلكترونية لطبقة نيتريد البورون الأحادية، كما تقدّم إرشادات مفيدة لتصميم وتطوير مواد شبه موصلة ثنائية الأبعاد مستقبلية
|
الملخص بالانجليزي |
The boron nitride monolayer (BNML) is a two-dimensional material known for its wide bandgap and excellent thermal and chemical stability, making it a promising candidate for electronic and optoelectronic applications. This study explores how doping BNML with silicon and carbon atoms affects its electronic properties.
The research employed first-principles calculations based on density functional theory (DFT) to systematically analyze the impact of doping on the band structure, density of states, and charge distribution.
The results show that silicon and carbon doping significantly alter the electronic behavior of the monolayer. Silicon introduces localized states near the conduction band, while Carbon can generate donors or acceptor states depending on the replacement site. The study also demonstrates that the bandgap can be effectively tuned, allowing the electronic characteristics of BNML to be tailored for various nanoscale devices.
This work provides a clearer understanding of how dopants influence the electronic properties of BNML, offering guidance for the design and development of future two-dimensional semiconductor materials
|
رقم ISN |
9701 |
|
للحصول على الرسالة كملف يرجى تزويد المكتبة برقم ISN
|
|