عنوان الإطروحه |
Electronic properties of double wall boron nitride nanotubes with Stone Wales Defects: Simulation study
|
تاريخ مناقشة الاطروحه |
2021-09-05 |
اسم الطالب |
معاذ سليم علي ابو عكاز
|
المشرف |
خالد عبده بديوي الخزاعله |
|
المشرف المشارك |
جمال علي ابراهيم طلاع
|
اعضاء لجنة المناقشة |
| ماجد علي عبدالقادر ابو صيني |
| عماد المحمود |
|
الكلية |
كلية العلوم |
القسم |
الفيزياء |
الملخص بالعربية |
في هذا العمل ، تمت دراسة الخصائص الإلكترونية للأنابيب النانوية مزدوجة الجدار من نيتريد البورون تحت تأثير عيوب ستون ويلز على روابط ذرة البورون ، وتم النظر في ست حالات رئيسية ، ثلاث منها للجدار الخارجي ، والتي أطلقنا عليها TYPI-O و TYPII-O و TYPIII-O ، وثلاثة منهم للجدار الداخلي TYPI-I و TYPII-I و TYPIII-I ، وجدنا أن فجوة النطاق للأنابيب النانونية من نايتريد البورون مزدوج الجدران البكر تساويeV 3.794 ، حيث انخفضت فجوة النطاق في الجدار الخارجي والداخلي بعد تأثير عيوب ستون ويلز ؛ تراوحت قيمة فجوة النطاق في الجدار الخارجي بين ( 3.5 eV~3.499 eV) وفي الجدار الداخلي (3.38 eV~3.477 eV). ويعزى هذا الانخفاض الملحوظ إلى عيوب ستون ويلز. |
الملخص بالانجليزي |
In this work, the electronic properties of DWBNT were studied under the influence of Stone Wales defects on the boron atom bonds, and six main cases were considered, three of them for the outer wall, which we called TYPI-O, TYPII-O and TYPIII-O, and three of them for the inner wall TYPI-I, TYPII-I and TYPIII-I, We found that ,the band gap for pristine DWBNNT equal to 3.794, The band gap in the outer and inner wall decreased due to the effect of Stone Wales defects, where the value of the band gap in the outer wall and inner wall ranged between (3.5 eV~3.499 eV ) , ( 3.38 eV~3.477 eV) respectively. This remarkable decrease is attributed to the defects of Stone Wales |
رقم ISN |
7715 |
|
للحصول على الرسالة كملف يرجى تزويد المكتبة برقم ISN
|
|