عنوان الإطروحه |
Electrical properties of defected boron- nitride nanotube with different orientations of stone wales defected :First principle calculation
|
تاريخ مناقشة الاطروحه |
2020-03-01 |
اسم الطالب |
انعام نايف احمد الشرعة
|
المشرف |
جمال علي ابراهيم طلاع |
|
المشرف المشارك |
|
اعضاء لجنة المناقشة |
| خالد عبده بديوي الخزاعله |
| عماد المحمود |
|
الكلية |
كلية العلوم |
القسم |
الفيزياء |
الملخص بالعربية |
في هذا البحث ،تم تطبيق نظرية الكثافة الجزيئية لدراسة الخصائص الهيكلية والكترونيه للأنابيب البورون نتريد النانوية التي تحتوي على اتجاهات مختلفة لعيوب ستون ويلز, وتم دراسة ثلاثة أنابيب نانوية مختلفة في النوع zigzag (10،0)، armchair (6،6)، chiral (8،4). تم بناء الهيكل الهندسي لأنابيب البورون نتريد النانوية باستخدام برنامج حاسوبي, وعلى سطح الانابيب اخترنا رابطة بين ذرتي البورون والنتروجين وغيرنا مقدار الزاوية بينهما بمقدار 90 درجة. تم توضيح الخصائص الإلكترونية أيضًا من خلال مستويات طاقات الفجوة في كل هيكل ممكن. أيضًا، وقمنا بحساب الكثافة جزئية للحالة لكل هيكل بنائي ممكنة من أنابيب البورون نتريد النانونية. درسنا التغيرات في طاقة فيرمي ونطاقات التكافؤ ونطاقات التوصيل. لقد وجدنا أن اختلاف اتجاه الأنابيب النانوية يلعب دورًا أساسيًا في تعديل الخواص الكهربائية للأنابيب البورون نتريد النانوية. |
الملخص بالانجليزي |
In this research project, density functional theory was implemented to study structural and electronic properties of boron nitride nanotubes with different orientations of Stone Wales defects for three types of boron nitride nanotube i.e. zigzag (10, 0), armchair (6, 6), and chiral (8, 4), respectively. Stone Wales defects we created by selecting different B-N bonds and rotate them by 90o. The electronic properties were also illustrated by evaluating the band gap energies at each possible structure. Also, we calculated partial density of state to all possible structure of boron nitride nanotube. We studied the changes in the Fermi energy, valence bands, and conduction bands. We found that Stone Wales defects orientation play a crucial rule on modifying the electrical properties of boron-nitride nanotubes |
رقم ISN |
6707 |
|
للحصول على الرسالة كملف يرجى تزويد المكتبة برقم ISN
|
|